SOLICITUDES - Tomo 2 del Boletín de la Propiedad Industrial de 30 de Julio de 2009

Número de patente o CCP: 2324142 A1 C P 200800221 (7)

Fecha de presentación de la solicitud: 29-01-2008

Nombre del solicitante: Mostrar.

Clasificación Internacional de Patentes: G03F 7/00 (2006.01) B41M 3/00 (2006.01)
B81C 1/00 (2006.01) C12Q 1/00 (2006.01)


Título de la invención: Método para definir y fabricar motivos superficiales nanométricos químico reactivos mediante litografía blanda en fase gaseosa, motivos y dispositivos así obtenidos y sus aplicaciones.

Resumen o reivindicación: Método para definir y fabricar motivos superficiales nanométricos químico reactivos mediante litografía blanda en fase gaseosa, motivos y dispositivos así obtenidos y sus aplicaciones.
El método propuesto en esta patente de invención permite definir y fabricar sobre obleas de silicio monocristalino u otro material semiconductor o superficie sólida, un motivo químico reactivo previamente proyectado o una serie de ellos, preferentemente una molécula de silano como el MPTMS y APTMS con un grupo tiol y amino funcional expuesto, respectivamente. Estos soportes funcionalizados a nivel nanométrico pueden ser utilizados para la fabricación de dispositivos microelectrónicos o biotecnológicos como, por ejemplo, un microarray o microchip de DNA o PNA.


Nombre del agente: Mostrar.

Conforme a los arts. 26 y 29 del Reglamento para la ejecución de la Ley de Patentes, se ponen a disposición del público las solicitudes y, en su caso, los informes del estado de la técnica que a continuación se mencionan.

Anotaciones relacionadas: Dispositivo de seguridad para incorporaciones de vehículos mejorado, Sistema de aprovechamiento energético, en forma de calor, a partir de una instalación de refrigeración, Parada publicitaria interactiva.